（110）晶向硅
在MEMS加工里，（110）晶向的使用场景比（100）少很多。这里以在（110）硅片上制作MEMS光开关为例，通过KOH溶液各向异性腐蚀得到光开关的微反射镜，其质量高于用同样方法在（100）硅片上制作的器件。（110）硅片上难以实现（100）硅片上的V型槽，沿着与微反射镜 面成70.53°的方向上，用 KOH 定向腐蚀液在（110）硅片上制作出一列错开的成70.53°的平行四边形蚀坑。这一列并置的平行四边形蚀坑构成了一个锯齿状沟槽，光纤就置于该沟槽内，其位置由沟壁两侧的齿尖限定而准确定位。（引用：贾翠萍，《（110）硅基 MEMS 光开关光纤定位槽的设计》）
图 采用（110）硅制备微反射镜的示意图
另外，在(110)衬底上可以将掩膜图形与(110)和(100)面交线方向成适当角度，得到与(110)面垂直的(111)面，利用该腐蚀方法可以获得类似干法刻蚀所制备的高深宽比的腐蚀槽。
图 （110）晶向硅各向异性湿法腐蚀示意图
（111）晶向硅
用干法刻蚀出一定深度的两条长方形微槽，如下图（ａ）深色区域所示，对其进行侧壁保护后再刻蚀牺牲层，然后进行KOH或TMAH各向异性湿法腐蚀。湿法腐蚀将沿单晶硅片内部横向进行腐蚀，最终腐蚀终止面为 (111)面，释放完全后形成的嵌入式腔体投影如下图（ａ）中六边形阴影部分所示。下图（b）~（d）分别为释放完全后的 Ａ-Ａ＇，Ｂ-Ｂ＇和 Ｃ-Ｃ＇三个截面图。只要合理设计可动结构以及优化可动结构晶向排布方式，并对结构进行侧壁保护，即可实现硅片内部选择性横向腐蚀释放可动结构。此项技术由中科院微系统所团队发明，并在压力传感器、加速度传感器制备上有相关专利保护。（引用：赵忆《基于（111）硅单片集成三轴加速度计的工艺研究》
图 （111）晶向硅各向异性湿法腐蚀示意图
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